HS26P10 是采用低耗高速 CMOS 工艺制造的 8 位单片机

HS26P10 是采用低耗高速 CMOS 工艺制造的 8 位单片机，它内部包含一个 2K*16-bit 的一次性 可编程只读电存储器(OTP-ROM)。

2. 特征

 除了跳转指令 2 个指令周期外，其他指令都是一个指令周期

 2K*16 位片内 ROM

 可直接、间接寻址

 3 个 8 位定时器：

   TC0：外部事件计数器/PWM0/ Buzzer 输出。

   TC1：外部事件计数器/PWM1/ Buzzer 输出。

   TC2：外部事件计数器/PWM2/ Buzzer 输出

 内置上电复位，掉电复位

 内置上电复位时间 PWRT 和振荡器起振时间 OSCT

 内置可预分频 WDT

 四种振荡模式

  内置高速振荡器 16MHz

  内置低速振荡器 32K

  外置高速晶体振荡器 4MHz~16MHz

  外置低速晶体振荡器 32.768KHz

 一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出

 128*8 bit SRAM

 3 组标准双向 I/O 端口

 8 级用于子程序嵌套的堆栈

 6 种可用中断

  4 个内部中断：TC0、TC1、TC2、ADC

  2 个外部中断：INT0，INT1

 ADC

 5个外部ADC输入

 1个内部电池检测

 内部AD参考电压（VDD、4V、3V、2V）